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Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
NLM
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SENSORES BIOMÉDICOS, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Duarte, P. H. (2022). Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (2021)
Sousa, Bruna Ramos de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SOUSA, Bruna Ramos de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sousa, B. R. de. (2021). Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
NLM
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
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Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (2020)
Gonçalez Filho, Walter; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, AMPLIFICADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALEZ FILHO, Walter. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Gonçalez Filho, W. (2020). Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
NLM
Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
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Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (2020)
Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, AMPLIFICADORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, Alexandro de Moraes. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Nogueira, A. de M. (2020). Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
NLM
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
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Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Dissertação (Mestrado)
Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)
Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
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Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
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Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Tese (Doutorado)
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
NLM
Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
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Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Dissertação (Mestrado)
Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
NLM
Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
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Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Vancouver
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
NLM
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Vancouver
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Vancouver
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)
Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sivieri, V. de B. (2016). Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
NLM
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Vancouver
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)
Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES
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ABNT
BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
NLM
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Vancouver
Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
NLM
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
Vancouver
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

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